硅光电探测器特性分析
更新时间：2015-08-05浏览：2868次
随着人类对新能源新技术的不断开发和利用，对光能的研究也进入了一个新的阶段。20世纪30年代时，人们对光的探测与研究用的都是光电倍增真空管(PMT)，它昂贵，真空管内部机械结构部分制造复杂，体积大而且对电磁干扰非常敏感。人们开始寻求新的替代品来对光进行研究。在半导体行业飞速发展后，光敏半导体探测设备，像PIN光电二管，雪崩二管，以及90年代出现的硅光电倍增管，得到了迅速的发展，并在很多领域已经取代了PMT，相信在将来这些半导体探测器将被更广泛的应用。
硅光电倍增管被认为是 有潜力的一个。因为它有非常高的增益，基本不用太复杂的外接放大电路。它的加工制造也只是用的标准的CMOS工艺，因此经济又有效。硅光电倍增管除了在辐射测量领域的发展，随着现代医学的发展，它也在核医学领域受到了人们的广泛关注，如正电子发射计算机断层扫描装置(Positron Emission Tomography简称PET)。PET是目前惟一可在活体上显示生物分子代谢、受体及神经介质活动的新型影像技术，但它缺乏对各断层面之间的扫描。核磁共振成像(Magnet Resonance Imaging简称MRI)正好可以满足这一要求。磁共振成像是一种生物磁自旋成像技术，它可以直接作出各种体层图像，不会产生CT检测中的伪影，无电离辐射，对机体没有不良影响。如果能把PET和MRI结合起来将会对医学研究和发展起到深远意义。但是一直以来PET所使用的光探测器是PMT，PMT并不能在强磁场中工作，也就限制了MRI的发展，但硅光电倍增管正好解决了这个问题。使得PET和MRI的结合成为可能。
